DDRSDRAM内存发展历程-创新互联

DDR SDRAM是具有双倍数据传输率的SDRAM，其数据传输速度为系统时钟频率的两倍，由于速度增加，其传输性能优于传统的SDRAM。DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。 SDRAM 在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟上升期进行数据传输；而DDR则是一个时钟周期内可传输两次数据，也就是在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。下面英尚微电子介绍DDR SDRAM内存发展历程。
 
（1） DDR SDRAM
 
DDR SDRAM双倍数据率同步动态随机存取存储器，它是SDR SDRAM的升级版，DDR SDRAM在时钟周期的上升沿与下降沿各传输一次信号，使得它的数据传输速度是 SDR SDRAM 的两倍，而且这样做还不会增加功耗，至于定址与控制信号与SDR SDRAM相同，仅在上升沿传输，这是对当时内存控制器的兼容性与性能做的折中。
 
DDR SDRAM采用184pin的DIMM插槽，防呆缺口从SDR SDRAM时的两个变成一个，常见工作电压2．5V，初代DDR内存的频率是200MHz，随后慢慢的诞生了DDR-266、DDR-333和那个时代主流的DDR-400，至于那些运行在500MHz，600MHz、700MHz的都算是超频条了，DDR内存刚出来的时候只有单通道，后来出现了支持双通芯片组，让内存的带宽直接翻倍，两根DDR－400内存组成双通道的话基本上可以满足FBS 800MHz的奔腾4处理器，容量则是从128MB到1GB。

 
（2） DDR2 SDRAM DDR2/DDR II SDRAM是由JEDEC进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式，但 DDR2SDRAM 内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
 
DDR2的标准电压下降至1.8V，这使得它较上代产品更为节能，DDR2的频率从400MHz到1200MHz，当时的主流的是DDR2-800，更高频率其实都是超频条，容量从256MB起步大4GB，不过4GB的DDR2是很少的，在DDR2时代的末期大多是单条2GB的容量。
 
（3） DDR3 SDRAM DDR3提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品规格。

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